任职资格
1.等离子体物理、核科学与技术（等离子体物理方向）、电气工程（等离子体技术方向）、应用物理、材料科学及相关专业，硕士研究生及以上学历应届毕业生； 2.具备扎实的等离子体物理基础，深入理解低温等离子体放电机制及射频/微波-等离子体相互作用机理，熟悉半导体刻蚀（Etch）或薄膜沉积（CVD/PVD/ALD）工艺者优先； 3.能够熟练运用COMSOL、VSim等仿真工具进行等离子体放电及多物理场仿真，或熟练掌握Langmuir探针、OES等等离子体诊断技术，具备腔体级或系统级调试经验者优先； 4. 责任心强，具备良好的抗压能力和自我驱动特质，能适应快节奏、高要求的半导体设备研发环境； 5.具备较强的创新与学习意识，能主动跟踪等离子体技术及半导体工艺的前沿发展，并探索其在设备产品中的应用； 6. 具备系统级分析与跨界融合能力，能够将等离子体技术与设备整体架构、工艺需求及客户应用紧密结合； 7.特别优秀者，可适当放宽条件。

工作职责

1. 等离子体系统与腔体设计开发：负责半导体设备（如刻蚀、薄膜沉积等）等离子体源及真空腔体的整体架构设计、方案制定与落地实施；设计并优化等离子体发生器、电极结构及气体分配系统（Showerhead等），实现等离子体的高效激发与均匀分布；参与等离子体系统原型机的测试和优化，解决等离子体稳定性等问题。 2.等离子体物理与工艺机理研究：负责真空条件下等离子体放电特性的研究与开发；开展腔体内等离子体参数（如电子温度、密度、离子能量分布等）的提取、分析与调控；深入研究等离子体与半导体材料表面的相互作用机理（包括刻蚀、沉积、表面改性等），优化工艺窗口，提升刻蚀/沉积速率、选择比及均匀性。 3.多物理场仿真与等离子体建模：运用COMSOL、VSim、CFD（如Fluent）或自研代码等工具，建立等离子体放电模型（如流体模型、动力学模型或PIC-MCC模型）；构建多物理域仿真体系，进行电磁场、等离子体化学反应、气体流体动力学及热力学等多物理场协同仿真，通过仿真驱动腔体结构及工艺参数的设计决策与技术迭代。 4.等离子体诊断、测试与问题解决：使用朗缪尔探针（Langmuir Probe）、OES（光学发射光谱）、质谱仪及各类射频/电学测试仪器，完成等离子体特性的诊断与系统调试；分析和解决实验室或Fab（晶圆厂）现场的等离子体及工艺相关问题，如异常放电（Arcing）、等离子体不均匀、颗粒（Particle）污染、刻蚀形貌异常等；提供深度的故障分析（FA）与客户技术支持。 5.跨部门协作与文档管理：与机械、电气、射频、软件、工艺及供应商等多学科团队紧密协作，推动等离子体系统及整机设备的集成与优化；撰写并管理相关技术文档、BOM及设计变更（ECO）文档，推动产品从研发、验证到量产（NPI）的顺利转化。