工作内容：

1、负责公司第三代半导体（GaN、SiC）或硅基（SGT、Trench MOS等）功率器件的仿真设计以及工艺开发；

2、完成公司在第三代半导体功率器件方向相关知识产权的布局，如建立标准，申报科技项目，申请专利，发表论文等；

3、与代工厂配合，完善公司第三代半导体功率器件芯片相关的Design Rule以及设计的Check List；

4、协同进行流片后的器件测试以及model card萃取拟合工作，配合进行流片过程中发生的Issue解析root cause分析。

任职资格：

1、硕士及以上学历，微电子、凝聚态物理、材料等相关专业毕；

2、熟练使用半导体器件仿真设计（TCAD）软件，如Silvaco、Sentaurus或类似功能的相关软件；

3、熟悉硅基功率半导体制程工艺或第三代半导体制程工艺的某一站点；

4、具备Mask Layout设计经验者优先，了解常见绘图软件，如：LEDIT、Virtuoso、华大九天Aether/Argus等。

简历投递链接：

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